技术编号:9454459
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。过去数十年,电子器件制造遵循摩尔定律,经历了快速发展,减小集成电路尺寸是维持这一趋势的源动力,而随着制造尺寸的缩小,带来了制造工艺技术上的困难和挑战。在互补金属氧化物半导体晶体管的形成过程中,热处理一直起着关键的作用,特别是对于超浅结激活以及硅化物形成等关键过程来讲,更是至关重要。传统的快速退火已经很难满足32nm及更高节点的要求,新的退火技术替代快速热退火正在被大量研究,如闪光灯退火、激光尖峰退火、低温固相外延等。其中,激光退火技术已显示出良好的应用前景...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。