技术编号:9454464
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着超大规模集成电路技术的迅速发展,MOSFET器件的尺寸在不断减小,通常包括=MOSFET器件沟道长度的减小,栅氧化层厚度的减薄等以获得更快的器件速度。但是发展至超深亚微米级,特别是45纳米及以下技术节点时,已无法承受持续降低栅氧厚度所带来的高漏电。业界在45纳米及以下工艺引入了高k栅极绝缘层和金属栅的设计,在28纳米以后,出于高k(高介电值)材料的热稳定性考虑更是统一使用HKMG(高k栅极绝缘层+金属栅极)的后栅极工艺。现有技术利用业界熟知的冗余多晶硅...
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