技术编号:9454465
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着超大规模集成电路(VLSI)和特大规模集成电路(ULSI)的飞速发展,MOS器件 的尺寸不断地减小。为增加器件的反应速度、提高驱动电流与存储电容的容量,器件中栅氧 化层的厚度不断地降低。然而,随之而来的两个问题成为了阻碍集成电路进一步发展的重 要因素漏电和击穿。当栅氧化层的厚度低于20A,由于量子隧道效应,载流子能流过这个 超薄栅介质,并且载流子隧穿几率随着氧化层的厚度的减少按指数规律上升。当集成电路 中MOSFET工作时,电荷流过器件导致在栅介质层...
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