技术编号:9454499
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。—个完整的功率半导体器件需要经过多次重复氧化、扩散、薄膜淀积、光刻和刻蚀等步骤才能制得。功率半导体器件制造过程中,光刻是一个重要的工艺流程,其通过涂胶和曝光将设计的图形通过光刻胶层复制到硅片上。—般通过第一次光刻和刻蚀在硅片上形成功率半导体器件图形的同时也形成对准标记供后续光刻对准使用,从第二次光刻开始每次光刻需要与前层对准。而每经过一次工艺步骤,光刻对准标记都会受到影响,如对准标记尺寸改变、图形分辨率降低、台阶差减小、对比度降低、图形煙没甚至消失等。光刻...
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