技术编号:9454517
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,影响场效应晶体管性能的主要因素在于载流子的迁移率,其中载流子的迁移率会影响沟道中电流的大小。场效应晶体管中载流子迁移率的下降不仅会降低晶体管的切换速度,而且还会使开和关时的电阻差异缩小。因此,在互补金属氧化物半导体场效应晶体管(CMOS)的发展中,有效提高载流子迁移率一直都是晶体管结构设计的重点之一。常规上,CMOS器件制造技术中将P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)和N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)分开处理,例如,在PMOS器件...
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