技术编号:9454530
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种空气桥侧引的pHEMT微波功放管芯横向结构,适用于pHEMT0.25um工艺微波功放芯片的管芯构建。背景技术在微波单片集成电路(丽IC)中,高电子迀移率晶体管(HEMT)以其广泛的适用性成为微波频段内最重要的一类电子器件。在低噪声电路和功率电路的应用中,HEMT都表现出优越的器件性能。随着栅长的不断减小,HEMT能够得到更低的噪声系数和更高的截止频率。然而,由于其在AlGaAs/GaAs异质结界面处较小的导带不连续性和二维电子气(2DEG)...
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