技术编号:9454538
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体,尤其是涉及一种。背景技术 随着半导体技术发展,器件的集成度不断增加,器件特征尺寸(Critical Dimension,⑶)越来越小。 而随着特征尺寸得逐渐减小,互连结构之间的RC延迟(RC delay)对半导体器件的 影响越来越大,而降低互连结构中介质层材料的K值是有效降低RC延迟效应的方法,因而 现有技术中,介质层多采用低K介电材料(K < 3)或超低K介电材料(K < 2. 6)。 此外,现有技术还采用电阻系数更小的铜...
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