技术编号：9454672
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现在市场高压发光二极管(HV LED)应用普遍，这种HV LED由多个直至生长衬底的沟槽相互隔离的多个发光单元构成，由桥接结构连接于相邻的两个发光单元的N焊盘与P焊盘之间，实现多个发光单元的串联，现在市场多使用Au电极作为这种桥接结构。目前存在的问题是若沟槽较陡直，或芯片扩展不均，Au电极延展性不够好，导致金线断裂，就会出现芯片死灯现象。碳纳米管(简称CNT)具有极高的强度和极大的韧性，构成CNT的碳原子之间是以η键相结合的，而η键是自然界中最强的化学键之...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。