技术编号：9454678
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种环形磁性隧道结单元和制备环 形磁性隧道结单元的方法。背景技术 近年来，随着半导体技术的迅速提高，要求半导体器件向轻、薄、短小化发展。同时 也意味着半导体器件向高速、高集成度、低功率消耗方向发展。作为半导体器件家族中的重 要成员，磁性随机存取存储器（MRAM)的发展也成为人们的关注重点。 磁性随机存取存储器器件作为非易失性存储器已经被广泛使用。在MRAM中，通 过存储元件的磁性状态存储数据。MRAM中通常包括晶体...
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