技术编号：9457116
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及一种用于蚀刻集成电路的半导体晶片的系统和方法，更具体地，涉及一种利用湿法蚀刻工艺蚀刻半导体晶片(集成电路衬底)的系统和方法，使得所述晶片的蚀刻获得精确的和均匀的厚度。背景技术2.5与3D整合在器件制造中正在成为现实。关键工艺步骤是减薄硅晶片以显露所述金属填充的硅通孔(TSV)。研磨用于去除大部分的硅晶片。目前，多步骤连续的工艺，包括化学机械平坦化(CMP)和等离子蚀刻已被用于完成所述硅的最终减薄。然而，这种传统工艺有许多与其相关的缺点，包括...
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