技术编号：9457796
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 包括碳化硅层的衬底越来越多地用于标准部件。在使用这样的衬底的情况下例如 将截止至大于I. 2kV的电压的功率半导体实现为沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（沟 道M0SFET)。这样的功率半导体例如应用在电动汽车中，即具有电池--例如基于锂离子电 池单元的电池一一的机动车中，或者光伏设备中。微机电系统也可以借助这样的衬底实现。 对于微机电系统而言，衬底还可以包括二氧化硅层、氮化硅层或硅层，在其上沉积了碳化硅 层。 为了实现沟道MOSFET例如使用以下衬底（...
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