技术编号:9457804
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提出一种。发明内容目的在于提出一种用于制造光电子半导体芯片的改进的方法。为了制造光电子半导体芯片,可行的是使半导体层序列外延地在衬底上生长。为了制造所谓的薄膜芯片,还可行的是外延生长的半导体层结构在外延生长之后键合到载体上并且移除衬底。衬底的移除例如能够通过打薄磨削和随后的湿法刻蚀来进行。然而,在此失去衬底并且不能够再次使用。根据的至少一个实施方式,所述方法包括用于提供衬底的步骤、用于沉积牺牲层的步骤、用于沉积功能性的半导体层序列的步骤、用于将功能性的半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。