技术编号:9464829
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于石墨烯功能材料生长。具体而言,本发明涉及一种在半绝缘 硅面碳化硅(SiC(OOOl))上生长石墨烯PN结的方法,更具体地,涉及一种在半绝缘硅面碳 化硅上选区硼离子掺杂并进行高温外延生长石墨烯,实现在碳化硅上原位外延生长出石墨 烯双极和多极器件的方法。背景技术 石墨烯是一种新型的二维结构材料,其独特的能带结构、优异的电学性能、机械强 度、良好的化学稳定性等使得其在基础科学研究中有着极其重要的研究意义,并且蕴藏着 巨大的军事和商业应用价值。构建PN...
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