技术编号：9470709
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有的半导体制造工艺中常需要采用掺杂工艺。在进行掺杂时通常需要先在待掺杂的衬底表面上形成光刻胶图形覆盖不需要掺杂的区域，然后对从光刻胶图形中露出的区域进行掺杂。在掺杂之后，一般采用灰化工艺(ashing)将光刻胶图形灰化，以便于后续工艺步骤的进行。但是，现有技术中的灰化工艺在灰化光刻胶图形时容易对衬底造成一定程度的影响，例如导致衬底表面产生凹陷(recess)，凹陷会对衬底中的器件和后续工艺步骤以及器件的性能造成影响；现有的灰化工艺还可能对已经掺杂离子的区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。