技术编号:9472744
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。铝材料与其他半导体材料(例如锗)在低温下熔合可以得到共晶金属键合的欧姆接触,且铝作为键合材料具有以下独特的性质(I)可形成气密密封;(2)可形成两个基板之间的导电电路;(3)与CMOS制造完全兼容,铝是一种标准CMOS后端工艺粘结;(4)这一过程可以提供高密度电互连。由于上述优点,使得铝材料成为业界关注的热点。但是,铝材料的一个问题是避免铝薄膜的氧化。铝在空气中的自然氧化会形成氧化铝,这层氧化铝薄膜会影响共晶键合性能。现在业界的处理方法是在键合机台中通入还...
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