技术编号：9472764
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 氧化硅介质是半导体工艺中最为常用的一种介质材料，因其材料的物理、化学性 质，常用于半导体工艺中刻蚀、注入的介质掩模，芯片内部的电学隔离以及器件表面的钝 化。通常上述半导体工艺过程中所用到的氧化硅为非晶材料（晶体材料氧化硅即石英一般 只用做半导体工艺中的电路衬底）。在半导体加工工艺中氧化硅主要有两种生长方法一 种是高温热氧化，一种是化学气相沉积（CVD)方法。通过对生长在衬底表面的氧化硅薄膜 进行图形化刻蚀（干法、湿法）形成所需的介质薄膜结构。 在具体的应...
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