技术编号:9472810
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。顶出、吸取与压合的步骤系常见于半导体制程中。顶出系利用顶针推顶一晶片(晶粒),以使晶片与一膜体相互分离。吸取系利用一吸取头将前述之被推顶的晶片移动至另一位置。压合系利用一压合头将晶片压合于一基板处。然上述顶针、吸取头或压合头系设计仅能顶出一晶片或吸取一晶片,但对于讲求效率的半导体产业而言,仅能顶出单一晶片的顶针、仅能吸取单一晶片的吸取头或仅能压合单一晶片的压合头,其产能有限。特别是当因晶片厚度很薄或材质脆弱时,顶出需要很长的制程时间,或当晶片需要一定的压合...
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