技术编号：9472834
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及集成电路制造，特别涉及。背景技术 集成电路制程在不断发展，器件的特征尺寸也不断减小，纳米级以及次纳米级技 术节点日益成熟。从45/40nm技术节点开始，后段工艺制程中介电材料ILD基本使用孔隙 率较大的低k(Low-k)介电质薄膜，其机械性能随空隙率增大而相应地大为减弱。有研究证 明，介电材料的机械性质在CMP后缺陷产生过程中扮演重要角色，具体是指提高介电材料 表面的机械性质能显著较少CMP造成的机械损伤。因此业界据此引入新的集成方案使用 金属...
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