技术编号：9472882
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，例如涉及可被应用到具有可电重写的非易失性存储器的半导体器件的有效技术以及其制造技术。公开号为2006-49737的日本未审查专利公开(专利文献I)描述了用于去除层压绝缘膜(0N0膜)的被暴露的部分的技术，该层压绝缘膜(0N0膜)包括在上层中的氧化硅膜；在氧化硅膜之下的层中的氮化硅膜；以及在氮化硅膜之下的层中的氧化硅膜。专利文献I还描述了被布置在存储器单元部分中的元件隔离区域的布局。本文中，专利文献I描述了在存储器栅极电极与元件隔离区域彼此交叉的...
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