技术编号:9472899
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,在MOS的众多分类中由于V-groove MOS和U-groove MOS是靠腐蚀V槽和U槽形成的,工艺难度大,很难准确控制,而VDMOS则是通过多晶硅自对准工艺,通过两次杂质扩散来精确控制栅极沟道长度,工艺较为简单,而且VDMOS具有开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、跨导线性好等优点而被广泛应用于各种领域,包括电机调速、逆变器、不间断电源、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。但是,随着对VDMOS的不断深入研究,人们发现在使用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。