技术编号:9472902
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。传统单晶硅材质的微波片,经研磨后,其表面磨伤严重,深度有10 μ m左右,这样的单晶硅不能直接用来制作器件使用;目前市场上的均是单面抛光,这种单面抛光的微波片电性能不一致,影响产品性能。发明内容本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种半绝缘双面抛光微、、/由曰bl.Y及日日斤0本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种半绝缘双面抛光微波晶片,包括晶片本体,所述晶片本体的正面设置有上抛光层,所述晶片本体的背面设置有下抛光层,所述晶片本体的材质为砷...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。