技术编号：9472911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相比常规的半导体材料，GaN作为宽禁带半导体材料的典型代表，具有更宽的禁带宽度、更高的饱和电子漂移速度、更大的临界击穿电场强度和更好的导热性能等优点，更重要的是GaN能够与AlGaN形成AlGaN/GaN异质结，便于制作HEMT (High Electron MobilityTransistor，高电子迀移率晶体管)器件。在GaN HEMT器件中，AlGaN势皇层与GaN沟道层形成异质结，产生2DEG ( 二维电子气)，但是在AlGaN势皇层，AlxGa1...
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