技术编号：9472916
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，现有技术中有两种途径将FinFET的两个栅极分开，一种是用化学机械研磨将Fin顶端的栅极去掉，但在传统的FinFET结构中，此方法很难将4T_FinFET和3T_FinFET整合到一起；另一种方法是增加一道光罩，将指定的Fin顶端的栅极刻蚀掉，但此方法对于photo的alignment是一个巨大的挑战。因此，如何在FinFET的两个栅极分开的条件下降4T_FinFET和3T_FinFET整合到一起成为本领域技术人员面临的一大难题。发明内容鉴于上述问题...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。