技术编号:9472922
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。肖特基二极管(Schottky d1de, SBD)具有正向压降低、反向恢复时间短等优点。而碳化硅材料以其宽禁带宽度、高饱和电子漂移率等特点成为制备肖特基二极管的优选材料,碳化娃肖特基一■极管具有尚关断电压、低反向漏电流、低开关损耗等特点,成为尚频和快速开关的理想器件。对于碳化硅肖特基二极管来说,正向导通状态下的功耗PF = IF*VF对总体功耗的贡献最大。由于碳化硅肖特基二极管的电流&是由其应用方式预先决定的,因此降低碳化硅肖特基二极管的功耗只能...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。