技术编号:9475830
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构。还涉及器件结构,特别是晶体管、场效应晶体管(FET)、高电子迀移率晶体管(HEMT)的层结构,特别是常开或常关的HEMT或金属-绝缘层-半导体(MIS) HEMT、肖特基二极管或P_I_N结构。背景技术大多数基于第III族氮化物的器件结构,特别是如今用于射频(RF)或高压(HV)功率转换器件的晶体管结构,是在异质基底上制造的,即在不同于第III族氮化物材料的材料的基底上,如S1、SiC或A1203(蓝...
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