技术编号：9476364
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 氮化物半导体因为具有高击穿电场、高饱和电子速度，所以作为下一代高频/大 功率器件用半导体材料备受关注。特别是通过层叠由AlGaN构成的层和由GaN构成的层而 形成的多层结构体具有通过氮化物材料特有的大的极化效应（自发极化效应和压电极化 效应）而在层叠界面（异质界面）生成高浓度的二维电子气（2DEG)的特征，所以正积极开 发将该多层结构体用作基板的高电子迀移率晶体管（HEMT)(例如参见非专利文献1)。 手机基站等在大功率和高频（100W以上、2GHz以上...
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