技术编号：9476383
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。基于磷族元素化物的半导体包含IIB/VA族半导体。磷化锌(Zn3P2)为一种IIB/VA族半导体。磷化锌及类似基于磷族元素化物的半导体材料具有显著的作为薄膜光伏打装置中的光敏性吸收体的可能性。举例来说，磷化锌具有1.5eV的报告的直接带隙、在可见区中的高吸光度(例如，大于14Cm^lO5Cm1)及长的少数载体扩散长度(约5μπι到约10 μm) O N.C.魏斯及A.卡特拉诺，应用物理学期刊(Journal ofApplied Physics)，50 (3...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。