技术编号:9476388
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的是包含纳米线的部件,所述纳米线通过在衬底上的局部生长而集体形成,该衬底可以由硅、GaN、蓝宝石或者其他材料组成。更精确而言,本发明的涉及包含导光的或发光的纳米线(该纳米线可以用于例如产生光)的部件,尤其是发光二极管(其通常由缩写LED表示)。一般而言,纳米线大致具有可以为数百纳米的量级的横向尺寸(直径)和可以变化到上至十微米左右的竖直尺寸,而其高/直径比为从I到30,并且一般在10左右。背景技术在过去的几年间,已经例如制造了使用竖直InGaN/Ga...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。