技术编号:9476396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本案相关于案号HT12-011、申请号13/609, 780、申请日9/11/12由共同转让人申请的案件,其可整体结合来参考。本发明涉及一种磁性隧穿接合(MTJ),由于多个空间隔层形成于参考层的子层间,使其层状参考层具有垂直磁性非等向性(PMA),并能施加降低的偶极场(Ho)于自由层上,其中每一空间隔层与邻接的磁性子层间建立反铁磁性耦合,且于磁性子层间的界面导入垂直磁性非等向性。背景技术基于结合硅互补式金氧半场效晶体管与磁性隧穿接合(MTJ)技术的磁阻性随...
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