技术编号:9483486
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属于高纯高密碳化硅陶瓷制备。背景技术SiC陶瓷是一种硬度很高的共价键材料,仅次于金刚石、立方氮化硼、碳化硼等少数物质;同时它具有非常高的导热系数和负温系数,高纯SiC单晶可达490W/m*K。SiC作为非氧化物陶瓷,具有非常优异的化学惰性,单晶SiC几乎能在至今所知的腐蚀性水溶液中稳定存在,仅在215°C的磷酸和100°C以上的K3Fe (CN) 6的碱性溶液中有轻微腐蚀,并且后者也仅能腐蚀Si面,对C面没有任何腐蚀效果。SiC陶瓷的高硬度,耐...
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