技术编号：9485523
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种提拉法单晶硅生长流场控制技术，特别涉及直拉法单晶硅生长工 艺中的热场控制技术，采用坩埚底部加热，控制硅熔液的流场，控制单晶体中的杂质及掺杂 元素分布，从而获得高质量单晶硅。背景技术 在单晶硅的制造工艺中，最常使用的是直拉法（Czochralski，缩写CZ)，在直拉法 中，多晶硅是填充在石英玻璃坩埚(也称石英坩埚）中，然后加热熔融形成硅熔液，在硅熔液 中浸入籽晶后向上旋转提拉，硅在籽晶与熔溶液的界面处凝固结晶，形成单晶硅锭。 热场是决定长晶...
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