一种fm/nm薄膜结构中逆自旋霍尔电压值的测量方法技术资料下载

技术编号:9488434

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本发明属于自旋电子学研究以及相关自旋器件制造领域,具体涉及一种基于利用 终端短路的悬空微带传输线夹具测试FM/匪薄膜结构样品的自旋栗浦-逆自旋霍尔效应电 压的方法,采用将样品在微带线夹具中垂直翻转的方式,先后在膜面竖直向上以及膜面竖 直向下的位形时测量出样品两端电压,根据两种样品位形中自旋注入的方向相反的差别, 通过计算可精确获得测量电压中自旋整流分量以及逆自旋霍尔效应电压分量。背景技术 在自旋电子学中,自旋被作为信息存储和传输的载体,因此,产生、操纵以...
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