技术编号:9490660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设计及制造,特别涉及一种超结VDMOSFET(垂直双扩散场效应晶体管)制备方法及利用该方法形成的器件。背景技术在电力电子应用中,为了降低功耗,要求半导体器件在断开状态下能够承受较高的电压,在导通状态下有较低的导通电阻,常规的功率M0SFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常采用VDMOSFET (垂直双扩散M0SFET)结构,为了满足高耐压,需要降低漂移区浓度或增大漂移区厚度,但导通电阻也会随之增大,其导通电阻与击穿电压呈2.5次方的关...
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