技术编号：9493093
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 TFT中使用的无定形（非晶质）氧化物半导体与通用的非晶硅（a-Si)相比具有高载流 子迀移率，光学带隙大，能够在低温下成膜。因此，期待应用于要求大型、高分辨率、高速驱 动的下一代显示器、耐热性低的树脂基板等。作为适合这些用途的氧化物半导体的组成，提 出了含有In的非晶质氧化物半导体。例如，In-Ga-Zn系氧化物半导体、In-Ga-Zn-Sn系氧 化物半导体、In-Ga-Sn系氧化物半导体等受到关注。 在形成上述氧化物半导体薄膜时，适宜地采用对与该薄膜相...
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