技术编号:9493309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本实施方式涉及用于半导体的单晶硅锭和晶片。背景技术通常,主要采用浮区法(Floating Zone method, FZ)或丘克拉斯基法(CZochralski method, CZ)作为用于制造娃晶片的方法。如果单晶娃锭是采用FZ法生长的,其很难制造具有大直径的硅晶片并且工艺成本很高,因此单晶硅锭通常基于CZ法生长。根据CZ法,将多晶硅加入到石英坩锅中,将石墨加热元件加热,随后,通过使用加热的石墨加热元件将加入的多晶硅熔融。随后,将晶种浸没在得到的熔融...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。