技术编号：9493837
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 非晶氧化物半导体比普通的非晶硅（a-Si)具有更高的电子迀移率，和较大的光 学能带隙，从而可在低温下实现成膜。因此，期待使用大尺寸、高分辨率和高速驱动所需的 新一代显示器，或者具有低耐热特性的树脂基板。 在氧化物半导体中，由铟、锌、锡和氧构成的非晶氧化物（In - Zn - Sn - 0,下文称 为「ΙΖΤ0」）具有高载流子迀移率，因此可优选用于TFT的半导体层中。 当使用氧化物半导体作为薄膜晶体管的半导体层时，不仅载流子浓度（迀移率） 高，而且降低半导...
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