技术编号:9500227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路和功率器件的不断发展,散热问题对于产品性能提升的制约越来越严重,人们对于电子封装基片和散热材料的综合性能提出了更高的要求。氮化硅陶瓷具有潜在的高热导率(其理论热导率可达200?320W.m 1.K 3、良好的绝缘性、耐腐蚀性、耐热冲击性和优秀的力学性能,在电子封装材料和散热材料领域具有良好的应用前景。由于氮化硅属于强共价键化合物,难以烧结致密,因此,为了提高氮化硅陶瓷的致密度以实现高的热导率,在烧结氮化硅陶瓷时通常需要加入乙03,MgO,A12...
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