技术编号：9507332
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及1C制造工艺，特别地，涉及一种锗的化学机械抛方法。技术背景随着集成电路和光学器件的高速发展，另一种重要的半导体材料锗(Ge)得到了越来越重要的应用。在集成电路14nm以下技术带，使用Ge沟通替换Si沟道，将获得更好的器件性能，该工艺集成已成为维持摩尔定律在14nm以下技术节点的重要研发方向。同时，在光学器件中，相对于传统材料Si，Ge材料具有更佳优良的光学特性。目前，Ge已应用到高端的光波导和光学调制器等光学器件中。无论对于集成电路应用的Ge沟道...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。