技术编号：9507379
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在诸如绝缘栅双极晶体管(IGBT)、二极管、场效应晶体管例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的功率半导体器件中，可能释放热能。例如，在切断功率器件期间，可能释放热能脉冲。在某些情况下，这些高热照射可以伴有电流丝，该电流丝可以引起热点并甚至可以导致半导体功率器件的破坏。因此，功率器件的热管理变成在小型化上的进步和功率密度上的提升的一个限制因素。在减小半导体器件大小的情况下，减小了可以散热的面积。因此，期望用于在缩小器件尺寸的情况下处理增加的功率密...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。