技术编号:9507421
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化镓(GaN)基高电子迀移率晶体管(HEMT)不但具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度高、导热性能好、抗辐射和良好化学稳定性等优异特性,同时氮化镓(GaN)材料还可以与铝镓氮(AlGaN)等材料形成具有高浓度和高迀移率的二维电子气(2DEG)异质结沟道。因此,氮化镓(GaN)基高电子迀移率晶体管特别适用于高压、大功率和高温应用领域,是电力电子应用最具潜力的晶体管之一。但目前已制作GaN器件的击穿电压实际值与理论耐压极限相比仍然有较大的差距。其主要...
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