技术编号:9507428
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。通常用于汽车和工业电子器件的功率晶体管需要低的面比导通电阻(area-specific on-resistance) (RonXA)而同时确保高的电压阻断能力。例如,M0S(“金属氧化物半导体”)功率晶体管应该取决于应用需求而能够阻断数十至数百或数千伏特的漏至源电压Vds。M0S功率晶体管通常传导非常大的电流,其在约2至20V的典型栅-源电压下可以一直到数百安培。对使用隔离场板或场电极而具有电荷补偿的功率MOSFET ( “金属氧化物半导体场效应晶体管”)...
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