技术编号：9507434
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。已知一种在氮化物半导体基板的表面上形成阳极电极与阴极电极从而获得SBD的技术。还提出了一种对该SBD的特性进行改善的技术。在非专利文献1中公开了一种利用氮化物半导体的异质结而使二极管的正向的电压降降低的结构。如图4所示，当在带隙较小的氮化物半导体层6上层叠带隙较大的氮化物半导体层8而形成异质结界面时，二维电子气将沿着异质结界面而扩展。在由与氮化物半导体层8欧姆接触的材质形成电极20，且由与氮化物半导体层8肖特基接触的材质形成电极22时，电极20将成为阴极电...
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