技术编号:9510370
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在将半导体开关元件连接于感应性负载、由半导体开关元件控制对感应性负载的电力供给的通断的情况下,需要将关断(turn off)时在感应性负载中蓄积的能量在电路内消耗。此时蓄积的能量E成为E = 1/2XLI2,其中设自感为L,设电流为I。在半导体开关元件是由硅构成的M0SFET的情况下,成为在漏极一源极间具有阴极连接于漏极、阳极连接于源极的反并联连接的寄生二极管的器件构造。因此,在已使M0SFET截止时,能够将来自感应性负载的能量利用寄生二极管的雪崩区域消耗...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。