技术编号：9519637

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具有LPCVD (低压力化学气相沉积)TE0S (四乙基正硅酸盐，又称为四乙氧基硅烷)的半导体晶片在处理中显示严重释气，其中，SABPSG (亚大气硼磷酸硅酸盐玻璃)层沉积于其上。与用于紧固要被处理的半导体晶片的真空夹盘有关地，这可能导致如释气可能引起在方位上不对称的晶片翘曲那样的问题。在方位上不对称的晶片翘曲可能妨碍真空卡夹机构进行恰当的操作，即可能不能将半导体晶片保持在其平坦的预先限定的位置中，以用于后续的材料沉积处理。因此，当SABPSG层被沉积于在...
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