技术编号：9519639
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。由于半导体衬底(S1、蓝宝石等)与GaN外延层有不同的晶格失配和热膨胀系数，生长后在外延层会产生内应力。在某些领域，外延层中的应力场不同程度地影响或者制约着器件的性能。异质外延的应力场成为半导体领域的困扰问题之一。目前，科学研究者通过不同的途径进行应力释放，也取得了突破性的进展。其中在线生长SiNx掩膜层是一种高效消除应力场的技术，同时它还可以阻隔位错再次实现侧向外延技术进一步提高晶体质量。然而当前的在线生长SiNx掩膜层的方案都是基于M0CVD需要稳定的...
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