技术编号:9525247
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。根据对越来越高的容量和越来越低的功耗的存储器装置的需求,正在对下一代存储器装置进行研究。下一代存储器装置必须具有动态随机存取存储器(DRAM)的高集成度特性、闪速存储器的非易失性特性和静态RAM(SRAM)的高速特性。作为下一代存储器装置,突出的是相变RAM (PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM (PoRAM)、磁性RAM (MRAM)、铁电 RAM(FeRAM)和电阻型 RAM(RRAM)。发明内容发明构思的实施例提供了一种具有提高的数...
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