技术编号:9525527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。众所周知,CMOS电路的性能在很大程度上受PM0S的制约,因此,任何技术如果能够把PM0S的性能提高到NM0S的水平都被认为是有利的。在90nm的PM0S中,Intel的工程师将器件的源、漏刻蚀去除,然后重新淀积锗硅层,这样源和漏就会对沟道产生一个压缩应力,从而提高PM0S的传输特性。如图1所示,锗硅源/漏植入致应变技术是将锗硅镶嵌到源漏区,从而在沟道处产生压缩形变,提高PM0S晶体管的载流子迀移率,而载流子迀移率的提尚可导致尚的驱动电流,提尚晶体管性能。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。