技术编号：9525532
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体激光二极管（LD)及光电二极管（PD)和发光二极管（LED)芯片 制造领域，尤其涉及。背景技术 目前，在高速直接调制的激光器的设计与制作中，所采用的材料体系包括 InGaAsP，InGaAs/InGaAlAs/InP和InGaAs/GaAs等.大部分高速半导体激光器所采用的 是InGaAsP材料体系，并采用了双沟掩埋型和脊背型结构，并使用多次M0CVD外延生长技 术.因此，在半导体激光器芯片工序中其核心技术是如何获得稳定的双沟掩埋型或脊背...
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