技术编号:9525570
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为半导体装置中的电容器元件,已知有MIM(Metal Insulator Metal,金属绝缘体金属)电容器。图10和图11是概略性地示出包含现有技术的Μ頂电容器C的半导体装置90的制造处理的剖面图(专利文献1)。在Μ頂电容器C的形成时,如图10 (a)所示,在半导体基板300上形成了层间绝缘膜301之后,使用溅射法等来形成作为下层电极302的Ti/TiN/Al/Ti膜(从下起依次重叠有Ti (钛)膜302a、TiN (氮化钛)膜302b、Al (铝)膜...
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