技术编号：9525578
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前国内外功率模块的互连工艺主要采用焊接方法，见图1。在这种封装结构中，功率芯片7通过第一焊料层6回流焊接到DBC基板(敷铜陶瓷基板)4的上铜层5，焊接功率芯片后的DBC基板4再通过第二焊料层2回流焊接到底板1上；或者两次回流焊接工艺同时完成。DBC基板通常为三明治结构，如图1中，其上下表面分别覆盖有上铜层5和下铜层3;底板1通常为铜、铝或碳化硅等高导热导电材料。功率电子器件所使用的硅功率芯片由于大功率要求，芯片面积较大，一般大于8 X 8mm2，且DBC...
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